SiC 衬底与器件
关注表面加工质量，以及后续工艺的材料兼容性。
- 01衬底加工抛光效果与表面缺陷
- 02后清洗残留控制与表面状态
- 03器件制程刻蚀、沉积与清洗适配
SEMICONDUCTOR SOLUTIONS
从工艺需求出发让方案贴近产线
面向设备导入、材料验证与在役维护，组织适合项目的技术资源。
五个制造环节
对应不同的支持方式
选择当前关注的环节，查看评估重点与宇豪的支持。
先进封装
连接关键工艺与检测
围绕重布线、凸点与晶圆级封装，协同评估相邻环节的适配条件。
- 01金属化
种子层与 UBM
PVD - 02图形形成
涂胶、显影与烘烤
LITHOGRAPHY - 03清洗
残留去除与表面处理
WET PROCESS - 04缺陷检测
桥连、残留与损伤
AOI - 05结构量测
凸点高度与三维轮廓
3D METROLOGY
化合物与功率器件
不同材料，不同评估重点
从应用条件识别需求，避免用单一配置覆盖所有场景。
功率器件与射频
结合器件结构与膜层要求，评估工艺及检测条件。
- 01薄膜与金属化膜层要求与工艺兼容
- 02图形与刻蚀材料特性与结构目标
- 03减薄与切割薄片加工与分割质量
在役设备
维修、翻新与厂务配套
结合设备状态与使用工况，评估维修、翻新和替代路径。
关键子系统维护
核对故障、主机兼容和控制接口，组织修复与验证。
射频与微波电源
远程等离子源
静电吸盘
臭氧与终点检测
真空与厂务配套
真空与尾气系统按工况匹配；水、电、冷却、换热及节能按项目寻源。
真空泵与阀门
尾气处理
厂务公用系统
沟通前
可以先准备这些信息
信息越具体，越快确定方向与验证方式。
- 应用领域
- 如功率器件、射频、先进封装、LED
- 晶圆尺寸
- 4、6、8 或 12 英寸
- 材料体系
- 如 Si、SiC、GaN、GaAs
- 工艺环节
- 所在工序及上下游条件
- 目标指标
- 如膜厚、均匀性、缺陷与节拍
- 数量与时间
- 需求数量与计划导入时间